201.R-12與R152A共沸混合物(R500)-CCl2F2/C2HF5,>99.9%,用作冷凍劑、空調(diào)。
 
202.R-22與R115共沸混合物(R502)-CHClF2/C2H4F2,>99.9%,用作冷凍劑、空調(diào)、噴霧。
 
203.R-23與R13共沸混合物(R503)-CClF3/CHF3,>99.9%,用作冷凍劑、空調(diào)。
 
204.全氟丁烷(R601)-C4F10,>99%,用作絕緣氣體。
 
205.三氟氯乙烯(R1113)-C2ClF3,>99%,用于制備潤(rùn)滑脂、油類、
 
蠟類、塑料的聚合劑,聚三氟氯乙烯的單體。
 
206.三氟溴乙烯(R113B1)-C2BrF3,>99%,用于聚合反應(yīng)和化學(xué)中間體。
 
207.二氟氯乙烯(R1122)-C2HClF2,＞99.9%,用于化學(xué)合成中間體。
 
208.1,1-二氟乙烷(R1132A)C2H2F2,>99%,是一個(gè)很重要的單體,用于生產(chǎn)塑料及彈性體。
 
209.氯乙烯(R1140)-C2H3Cl,>99.9%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣;用作聚合劑、有機(jī)合成的中間體。
 
210.氟乙烯(R1140)-C2H3F,>99.9%,用作聚合劑、有機(jī)合成的中間體。
 
211.氦-3–He3,>99.99%,充計(jì)數(shù)管;作稀釋制冷機(jī)超低溫冷源,可達(dá)4.5×10-3K。
 
212.氦-4-He4,>99.99%,在空間應(yīng)用的低溫火箭燃料、核反應(yīng)堆中重水及所有常溫與低溫的液體均可用氦-4作壓送氣。
 
213,氘-D2,>99.95%,在核工業(yè)研究中應(yīng)用在氖核加速器中作為拋射體;當(dāng)放射丫能射線時(shí)作為中子源;在研究化學(xué)反應(yīng)時(shí),包括氫化合物,可作為軌跡用;用于生產(chǎn)重水(D2O)。
 
214.氚-T2,>99.95%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣,控制每升為1000微居里,有很廣泛的活潑性,與氖氬混合作為載氣,可用于檢測(cè)微量氮?dú)饧捌渌∮袣怏w。’
 
215.氧-18-O218,>99%,可制備H218O、D218O、S18O2。
 
216.氮-15-N215,>99%,可制備15NH3、16NO、15NO等。
 
217.氬-36–Ar36,>99.99%,計(jì)量值用。
 
218.氬-40-Ar40,>99.99%,計(jì)量值用。
 
219.氖-20Ne20,>99.99%,計(jì)量值用。
 
220.氖-22Ne22,>99.99%,計(jì)量值用。
 
221.氪-85-Kr85,>99.99%,標(biāo)準(zhǔn)氣,控制每升為10微居里,充燈泡用。
 
222.氪-86-Kr86,>99.9%用作標(biāo)準(zhǔn)氣。
 
223.氙-133-Xe133,>99.9%,充燈泡用。
 
224.碳-13-C13,>99%,可制備13CO2、13C6H8、13CO、13COS、13C2H4等。
 
225.碳-14-C14,>99%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣,控制每升為100微居里。
 
226.碳-18-C18,>99%>99%,可制備C18O2、C18O。
 
227.硫-35-S35,>99%,用作標(biāo)準(zhǔn)氣,控制每升為100微居里。
 
最近發(fā)現(xiàn)的12種,前10種為電子氣,后2種為有機(jī)氣體。
 
1.三氯甲烷-CHCl3,>99.9%,用于等離子干刻。
 
2.三氯乙烷-C2HCl3,>99.9%,用于熱氧化。
 
3.二甲基二氯硅烷-(CH3)2SiHCl2,>96%,用于外延、化學(xué)氣相淀積。
 
4.二甲基氯硅烷-(CH3)2SiHCl,>96%,用于外延、化學(xué)氣相淀積。
 
5.三甲基氯硅烷-(CH3)3SiCl,>95%,用于外延、化學(xué)氣相淀積。
 
6.二氟四氯乙烷-C2Cl4F2,>99.9%,用于等離子干刻。
 
7.六氟化硅-SiF2,>99.9%,用于等離子干刻。
 
8.八氟甲烷-CF8,>99.9%,用于等離子干刻。
 
9.異十氟丁烷-i-C4F10,>99.9%,用于等離子干刻。
 
10.十二氟乙烷-C2F12,>99.9%,用于等離子干刻。
 
11.乙烯基甲基醚-C3H3O,>99.5%。
 
12.乙烯基乙炔-CH2CHC2H,>50%。
 
1.二甲基鎘-(CH3)2Cd,純度＞99.999%,電子氣,用于MOCVD。
 
2.二乙基鎘-(C2H5)2Cd,>99.999%,電子氣,用于MOCVDo
 
3.四甲基錫-(CH3)4Sn,>99.999%,電子氣,用于MOCVD。
 
4.四乙基錫-(C2H5)Sn,>99.999%,電子氣,_用于MOCVD。、
 
5.三甲基砷-(CH3)3As,>99.999%,電子氣,用于MOCVD。
 
6.三乙基砷-(C2H5)3As,>99.999%,電子氣,用于MOCVD。
 
7.三乙基銻-(C2H5)3Sb,>99.999%,電子氣,用于MOCVD。
 
8.二乙基銦-(C2H5)2ln,>99.9999%,電子氣,用于MOCVD。
 
9.二甲基銦-(CH3)2In,)99.9999%,電子氣,用于MOCVD。
 
10.二乙基鎂-(C2H5)2Mg,>99.999%,電子氣,用于MOCVD。
 
11.二甲基汞-(CH3)2Hg,>99.999%,電子氣,用于MOCVD。
 
12.二乙基汞-(C2H5)2Hg,>99.999%,電子氣,用于MOCVD。
 
13.三甲基磷-(CH3)3P,>99.999%,電子氣,用于MOCVD。
 
14.三乙基磷-(C2H5)3P,>99.999%,電子氣,用于MOCVD。
 
15.三異丁基鋁-(i-C4H9)3AI,＞99.9999%,電子氣,用于MOCVD。
 
16.丙硅烷-Si3H8,>99%,電子氣,用于CVD。
 
17.三氯化鋁-AlCl3,>99.999%,電子氣,用于外延。
 
18.五氟化鉭-TaF5,>99.9%,電子氣,用于離子注入。
 
19.五氟化鉈-TlF5,>99.9%,電子氣,用于離子注入。
 
20.氯乙烯-C2H3Cl,99.9%,校正氣,用作冷凍劑。
 
21.氟乙烯-C2H3F,>99.9%,校正氣,用于制聚乙烯樹脂和其它單體的共聚物。